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DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

참조 용

부품 번호 DMTH3004LPS-13
PNEDA 부품 번호 DMTH3004LPS-13
설명 MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMTH3004LPS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH3004LPS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH3004LPS-13, DMTH3004LPS-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 514.02 KB)
PDFDMTH3004LPS-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH3004LPS-13 Distributor

DMTH3004LPS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Ta), 145A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43.7nC @ 10V
Vgs (최대)+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2370pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.2W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.7A (Ta), 75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1333pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

173nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5033pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

340W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

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Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3573pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

149W (Tc)

작동 온도

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