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DMTH4004SCTBQ-13

DMTH4004SCTBQ-13

참조 용

부품 번호 DMTH4004SCTBQ-13
PNEDA 부품 번호 DMTH4004SCTBQ-13
설명 MOSFET N-CH 40V 100A TO263
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH4004SCTBQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH4004SCTBQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH4004SCTBQ-13, DMTH4004SCTBQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 419.31 KB)
PDFDMTH4004SCTBQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH4004SCTBQ-13 Distributor

DMTH4004SCTBQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68.6nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4305pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)4.7W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263AB (D²PAK)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Ta), 185A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.23mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8183pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 64W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRF9310TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5250pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPB147N03LGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V

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전력 손실 (최대)

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4490pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.43W (Ta), 93.75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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