DMTH4007SPD-13
참조 용
| 부품 번호 | DMTH4007SPD-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMTH4007SPD-13 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,950 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMTH4007SPD-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMTH4007SPD-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMTH4007SPD-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14.2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 41.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2026pF @ 30V |
| 전력-최대 | 2.6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI5060-8 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2020pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A, 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1830pF @ 15V 전력-최대 48W, 100W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-PowerPair™ 공급자 장치 패키지 6-PowerPair™ |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 21.3pF @ 10V 전력-최대 380mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1010B-6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 95A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 25V 전력-최대 462W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 - |
