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DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

참조 용

부품 번호 DMTH4007SPDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMTH4007SPDQ-13
설명 MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH4007SPDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH4007SPDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMTH4007SPDQ-13, DMTH4007SPDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 488.15 KB)
PDFDMTH4007SPDQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH4007SPDQ-13 Distributor

DMTH4007SPDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs41.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2026pF @ 30V
전력-최대2.6W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

632pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

FDS8928A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTHD4401PT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

BSL314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 6.3µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

294pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2565pF @ 10V

전력-최대

2.6W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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