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DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

참조 용

부품 번호 DMTH6004SCTBQ-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6004SCTBQ-13
설명 MOSFET N-CH 60V 100A TO263
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH6004SCTBQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6004SCTBQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH6004SCTBQ-13, DMTH6004SCTBQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 585.57 KB)
PDFDMTH6004SCTBQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH6004SCTBQ-13 Distributor

DMTH6004SCTBQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs95.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4556pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)4.7W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263AB
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

270mW (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK762R0-40C,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11323pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

333W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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