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DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

참조 용

부품 번호 DMTH6010LK3Q-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6010LK3Q-13
설명 MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH6010LK3Q-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6010LK3Q-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH6010LK3Q-13, DMTH6010LK3Q-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 457.91 KB)
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DMTH6010LK3Q-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14.8A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs41.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2090pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)31W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

666pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

86W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

2SK4125-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P-3L

패키지 / 케이스

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FDD7030BL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1425pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 10V

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