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DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

참조 용

부품 번호 DMTH6010SK3-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6010SK3-13
설명 MOSFET N-CH 60V 16.3A
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH6010SK3-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6010SK3-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH6010SK3-13, DMTH6010SK3-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 534.19 KB)
PDFDMTH6010SK3-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH6010SK3-13 Distributor

DMTH6010SK3-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16.3A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs36.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1940pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1262pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NDS352P

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

850mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

125pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NVMTS001N06CTXG

ON Semiconductor

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53.7A (Ta), 376A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

910mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8705pF @ 30V

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전력 손실 (최대)

5W (Ta), 244W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2650pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

202W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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