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DS1230AB-70IND+

DS1230AB-70IND+

참조 용

부품 번호 DS1230AB-70IND+
PNEDA 부품 번호 DS1230AB-70IND
설명 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
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DS1230AB-70IND+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS1230AB-70IND+
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS1230AB-70IND+, DS1230AB-70IND+ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 216.05 KB)
PDFDS1230ABP-70IND+ 데이터 시트 표지
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DS1230AB-70IND+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급4.75V ~ 5.25V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지28-EDIP

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메모리 크기

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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작동 온도

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장착 유형

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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IDT71V3557SA85BG8

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

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장착 유형

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