DS1245Y-120IND
참조 용
| 부품 번호 | DS1245Y-120IND | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DS1245Y-120IND_5B | ||||||||||||||||||
| 설명 | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
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| 재고 있음 | 2,736 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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DS1245Y-120IND 리소스
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DS1245Y-120IND 사양
| 제조업체 | Maxim Integrated |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | NVSRAM |
| 기술 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 메모리 크기 | 1Mb (128K x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 120ns |
| 접근 시간 | 120ns |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 32-EDIP |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) 공급자 장치 패키지 44-SO |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 12ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
