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DS1249W-100IND#

DS1249W-100IND#

참조 용

부품 번호 DS1249W-100IND#
PNEDA 부품 번호 DS1249W-100IND_5B
설명 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
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DS1249W-100IND# 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS1249W-100IND#
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS1249W-100IND#, DS1249W-100IND# 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 205.13 KB)
PDFDS1249W-100IND# 데이터 시트 표지
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  • DS1249W-100IND# Distributor

DS1249W-100IND# 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지100ns
접근 시간100ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지32-EDIP

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

IS61LF102418A-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

IS61NLF102418-6.5TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

71T75602S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS46DR16640B-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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