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DS1330BL-70

DS1330BL-70

참조 용

부품 번호 DS1330BL-70
PNEDA 부품 번호 DS1330BL-70
설명 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34LPM
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS1330BL-70 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS1330BL-70
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS1330BL-70, DS1330BL-70 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 381.26 KB)
PDFDS1330YL-70IND 데이터 시트 표지
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DS1330BL-70 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급4.75V ~ 5.25V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스34-LPM
공급자 장치 패키지34-LPM

관심을 가질만한 제품

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY14B116N-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

BR24S08FJ-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

M24C04-DRMN3TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CY7C1360C-166AJXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

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100-TQFP (14x20)

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