DS2070W-100#
참조 용
| 부품 번호 | DS2070W-100# |
| PNEDA 부품 번호 | DS2070W-100 |
| 설명 | IC NVSRAM 16M PARALLEL 256BGA |
| 제조업체 | Maxim Integrated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,200 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DS2070W-100# 리소스
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DS2070W-100# 사양
| 제조업체 | Maxim Integrated |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | NVSRAM |
| 기술 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 메모리 크기 | 16Mb (2M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 100ns |
| 접근 시간 | 100ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 256-BGA |
| 공급자 장치 패키지 | 256-BGA (27x27) |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM - FP 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 25ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads 공급자 장치 패키지 50/44-TSOP II |
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제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-VFBGA 공급자 장치 패키지 96-VFBGA (7.5x13) |
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