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DS2502+T&R

DS2502+T&R

참조 용

부품 번호 DS2502+T&R
PNEDA 부품 번호 DS2502-T-R
설명 IC EPROM 1K 1WIRE TO92-3
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 8,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS2502+T&R 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2502+T&R
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2502+T&R, DS2502+T&R 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 677.18 KB)
PDFDS2502X1+U 데이터 시트 표지
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DS2502+T&R 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.8V ~ 6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

16Gb (4G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.333GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT51J256M32HF-60S:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.5GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

71V3558S166PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MB85RC128APNF-G-JNERE1

Fujitsu Electronics

제조업체

Fujitsu Electronics America, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

5962F1120101QXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

165-BFCCGA

공급자 장치 패키지

165-CCGA (21x25)

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