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DS2502P

DS2502P

참조 용

부품 번호 DS2502P
PNEDA 부품 번호 DS2502P_5B
설명 IC EPROM 1K 1WIRE 6TSOC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 1,858
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS2502P 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2502P
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2502P, DS2502P 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 677.18 KB)
PDFDS2502X1+U 데이터 시트 표지
DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 2 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 3 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 4 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 5 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 6 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 7 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 8 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 9 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 10 DS2502X1+U 데이터 시트 페이지 11

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DS2502P 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.8V ~ 6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지6-TSOC

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

M50LPW116N5G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-TSOP

S70FL01GSDPMFV013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

AT24C01-10SI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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