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DS2704G+T&R

DS2704G+T&R

참조 용

부품 번호 DS2704G+T&R
PNEDA 부품 번호 DS2704G-T-R
설명 IC EEPROM 1.25K 1WIRE 6TDFN
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 3,222
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS2704G+T&R 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2704G+T&R
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2704G+T&R, DS2704G+T&R 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 326.75 KB)
PDFDS2704G+T&R 데이터 시트 표지
DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 2 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 3 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 4 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 5 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 6 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 7 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 8 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 9 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 10 DS2704G+T&R 데이터 시트 페이지 11

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  • DS2704G+T&R Distributor

DS2704G+T&R 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1.25Kb (32 Bytes x 5 pages)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간2µs
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-TDFN-EP (3x3)

관심을 가질만한 제품

S29GL128S10DHB023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

S29GL064S90TFVV20

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

90ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

SST39WF800B-70-4C-EKE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

AT24C64D-XHM-B

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS42S32800D-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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