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DSEP40-03AS-TRL

DSEP40-03AS-TRL

참조 용

부품 번호 DSEP40-03AS-TRL
PNEDA 부품 번호 DSEP40-03AS-TRL
설명 DIODE GEN PURP 300V 40A TO263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DSEP40-03AS-TRL 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DSEP40-03AS-TRL
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
DSEP40-03AS-TRL, DSEP40-03AS-TRL 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 97.4 KB)
PDFDSEP40-03AS-TRL 데이터 시트 표지
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DSEP40-03AS-TRL 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFRED™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)300V
전류-평균 정류 (Io)40A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.44V @ 40A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 150V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (D²Pak)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

24ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

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SS35 V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

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1N4002TA

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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