DTA114WUAT106
참조 용
| 부품 번호 | DTA114WUAT106 |
| PNEDA 부품 번호 | DTA114WUAT106 |
| 설명 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,624 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DTA114WUAT106 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DTA114WUAT106 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
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DTA114WUAT106 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 10 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 4.7 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 24 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | 250MHz |
| 전력-최대 | 200mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 공급자 장치 패키지 | UMT3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA (ICBO) 주파수-전환 250MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-85 공급자 장치 패키지 UMT3F |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 230mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 338mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 250MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 SSM |
