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DTA124XCAHZGT116

DTA124XCAHZGT116

참조 용

부품 번호 DTA124XCAHZGT116
PNEDA 부품 번호 DTA124XCAHZGT116
설명 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
제조업체 Rohm Semiconductor
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DTA124XCAHZGT116 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTA124XCAHZGT116
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
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  • DTA124XCAHZGT116 Distributor

DTA124XCAHZGT116 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대350mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SST3

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

UMT3

MUN5216T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

202mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

DRDPB26W-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased + Diode

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220 Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

UNR421400A

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SSIP

공급자 장치 패키지

NS-B1

FJN3303RBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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