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DTA125TKAT146

DTA125TKAT146

참조 용

부품 번호 DTA125TKAT146
PNEDA 부품 번호 DTA125TKAT146
설명 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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DTA125TKAT146 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTA125TKAT146
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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  • DTA125TKAT146 Distributor

DTA125TKAT146 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)200 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 50µA, 500µA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
주파수-전환250MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

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NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

510 Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

5.1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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전력-최대

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