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DTC115ECAHZGT116

DTC115ECAHZGT116

참조 용

부품 번호 DTC115ECAHZGT116
PNEDA 부품 번호 DTC115ECAHZGT116
설명 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 178,806
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DTC115ECAHZGT116 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTC115ECAHZGT116
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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DTC115ECAHZGT116 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대350mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SST3

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nexperia

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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PDTB113ZUX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

140MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PBRN123YT,215

Nexperia

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Nexperia USA Inc.

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 300mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

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패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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