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DTD123TCHZGT116

DTD123TCHZGT116

참조 용

부품 번호 DTD123TCHZGT116
PNEDA 부품 번호 DTD123TCHZGT116
설명 500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR (WI
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 28,440
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DTD123TCHZGT116 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTD123TCHZGT116
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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  • DTD123TCHZGT116 Distributor

DTD123TCHZGT116 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SST3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

130MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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전력-최대

50mW

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