DXT5551P5Q-13
참조 용
| 부품 번호 | DXT5551P5Q-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DXT5551P5Q-13 |
| 설명 | PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DXT5551P5Q-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DXT5551P5Q-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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DXT5551P5Q-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 200mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V 전력-최대 1.2W 주파수-전환 130MHz 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E-Line-3 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 2V 전력-최대 2W 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 MPT3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V 전력-최대 500mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-96 공급자 장치 패키지 TSMT3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V 전력-최대 900mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
