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EC4H09C-TL-H

EC4H09C-TL-H

참조 용

부품 번호 EC4H09C-TL-H
PNEDA 부품 번호 EC4H09C-TL-H
설명 RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,914
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EC4H09C-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EC4H09C-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
EC4H09C-TL-H, EC4H09C-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 54.96 KB)
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EC4H09C-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3.5V
주파수-전환26GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.3dB @ 2GHz
이득15dB
전력-최대120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)40mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-UFDFN
공급자 장치 패키지4-ECSP1008

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

이득

15.5dB

전력-최대

210mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

TSFP-3-1

BFU580QX

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

이득

8.5dB

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

PH3135-5S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.5dB

전력-최대

5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

750mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP 405F E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

25GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

이득

22.5dB

전력-최대

55mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-TSFP

BF959G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

700MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

이득

-

전력-최대

625mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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