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ECH8651R-R-TL-H

ECH8651R-R-TL-H

참조 용

부품 번호 ECH8651R-R-TL-H
PNEDA 부품 번호 ECH8651R-R-TL-H
설명 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ECH8651R-R-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8651R-R-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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ECH8651R-R-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A, 60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

975pF @ 10V

전력-최대

27W, 48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

118A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

ISOPLUS-DIL™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

FDC6420C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

324pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

NTTFS5C460NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

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