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ECH8664R-TL-H

ECH8664R-TL-H

참조 용

부품 번호 ECH8664R-TL-H
PNEDA 부품 번호 ECH8664R-TL-H
설명 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $2.9431
250 ---------- $2.8051
500 ---------- $2.6672
1,000 ---------- $2.5292
2,500 ---------- $2.4143
5,000 ---------- $2.2993
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ECH8664R-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8664R-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ECH8664R-TL-H, ECH8664R-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 297.2 KB)
PDFECH8664R-TL-H 데이터 시트 표지
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ECH8664R-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 10V

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6L

STS5DNF60L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1030pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SIA912DJ-T1-GE3

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 6V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PowerPAK® SC-70-6 Dual

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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