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ECH8672-TL-H

ECH8672-TL-H

참조 용

부품 번호 ECH8672-TL-H
PNEDA 부품 번호 ECH8672-TL-H
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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ECH8672-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8672-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ECH8672-TL-H, ECH8672-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 304.38 KB)
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ECH8672-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

STS4DPF30L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

TPC8223-H,LQ(S

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

IRFHE4250DTRPBF

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A, 303A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1735pF @ 13V

전력-최대

156W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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