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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

참조 용

부품 번호 EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
PNEDA 부품 번호 EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D, EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 데이터 시트 (총 페이지: 145, 크기: 1,817.13 KB)
PDFEDB1332BDPC-1D-F-R TR 데이터 시트 표지
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-VFBGA
공급자 장치 패키지134-VFBGA (10x11.5)

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOP2

AT25640T1-10TI-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

14-TSSOP

CY7C09569V-100AXC

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

576Kb (16K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-LQFP

공급자 장치 패키지

144-TQFP (20x20)

AT45DB642D-TU

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (1056 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2.133GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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