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EDB8164B4PR-1D-F-D

EDB8164B4PR-1D-F-D

참조 용

부품 번호 EDB8164B4PR-1D-F-D
PNEDA 부품 번호 EDB8164B4PR-1D-F-D
설명 IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EDB8164B4PR-1D-F-D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDB8164B4PR-1D-F-D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
EDB8164B4PR-1D-F-D, EDB8164B4PR-1D-F-D 데이터 시트 (총 페이지: 152, 크기: 1,983.99 KB)
PDFEDB8164B4PT-1DAT-F-R 데이터 시트 표지
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EDB8164B4PR-1D-F-D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스216-WFBGA
공급자 장치 패키지216-FBGA (12x12)

관심을 가질만한 제품

AT49SV322D-80CU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA, CSBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (7x10)

CY14B101LA-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

7130LA20TFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (10x10)

M93C46-WDW6TP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY7C1007B-15VXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (1M x 1)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

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MC9S08LH36CLH

MC9S08LH36CLH

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ADP5052ACPZ-R7

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TLMY1000-GS08

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LED YELLOW 0603 SMD