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EFC2J017NUZTDG

EFC2J017NUZTDG

참조 용

부품 번호 EFC2J017NUZTDG
PNEDA 부품 번호 EFC2J017NUZTDG
설명 MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EFC2J017NUZTDG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC2J017NUZTDG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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EFC2J017NUZTDG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs95nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.77x3.05)

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55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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DN2625DK6-G

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.04nC @ 1.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x5)

ZXMD65N03N8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VBH40-05B

IXYS

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IXYS

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

V2-PAK

공급자 장치 패키지

V2-PAK

DMC4047LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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