EFC6604R-TR
참조 용
| 부품 번호 | EFC6604R-TR |
| PNEDA 부품 번호 | EFC6604R-TR |
| 설명 | MOSFET 2N-CH EFCP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,364 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EFC6604R-TR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EFC6604R-TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EFC6604R-TR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.6W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 6-EFCP (1.9x1.46) |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 670pF @ 25V 전력-최대 75W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 980µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-MICRO FOOT®CSP 공급자 장치 패키지 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
