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EFC6617R-A-TF

EFC6617R-A-TF

참조 용

부품 번호 EFC6617R-A-TF
PNEDA 부품 번호 EFC6617R-A-TF
설명 MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,884
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EFC6617R-A-TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC6617R-A-TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • EFC6617R-A-TF Distributor

EFC6617R-A-TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V, 1890pF @ 15V

전력-최대

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

APTM20DUM08TG

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

208A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

781W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

SI1023X-T1-GE3

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

MP6M14TCR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

MPT6

CSD87312Q3E

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제조업체

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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