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EGF1AHE3_A/I

EGF1AHE3_A/I

참조 용

부품 번호 EGF1AHE3_A/I
PNEDA 부품 번호 EGF1AHE3_A-I
설명 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EGF1AHE3_A/I 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EGF1AHE3_A/I
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
EGF1AHE3_A/I, EGF1AHE3_A/I 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 75.97 KB)
PDFEGF1D-2HE3/67A 데이터 시트 표지
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  • EGF1AHE3_A/I Distributor

EGF1AHE3_A/I 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214BA
공급자 장치 패키지DO-214BA (GF1)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

24ns

전류-역방향 누설 @ Vr

41µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

820pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

CFP5

작동 온도-접합

175°C (Max)

MURS160/2

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

GIB1401HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

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STTH30RQ06G2-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.95V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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