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EGF1D

EGF1D

참조 용

부품 번호 EGF1D
PNEDA 부품 번호 EGF1D
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,502
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EGF1D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EGF1D
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
EGF1D, EGF1D 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 167.54 KB)
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EGF1D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SBR0240LP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

SBR®

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

590mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1006 Metric)

공급자 장치 패키지

X1-DFN1006-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-12F60

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.26V @ 38A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1635HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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