EGP10FE-M3/54
참조 용
| 부품 번호 | EGP10FE-M3/54 |
| PNEDA 부품 번호 | EGP10FE-M3-54 |
| 설명 | DIODE GEN PURPOSE DO204AL |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,028 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EGP10FE-M3/54 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EGP10FE-M3/54 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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EGP10FE-M3/54 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | * |
| 다이오드 유형 | - |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | - |
| 전류-평균 정류 (Io) | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | - |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
