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EGP10G-E3/54

EGP10G-E3/54

참조 용

부품 번호 EGP10G-E3/54
PNEDA 부품 번호 EGP10G-E3-54
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,772
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EGP10G-E3/54 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EGP10G-E3/54
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
EGP10G-E3/54, EGP10G-E3/54 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 71.25 KB)
PDFEGP10G-E3S/73 데이터 시트 표지
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EGP10G-E3/54 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MA2J1150GL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SMini2-F3

작동 온도-접합

150°C (Max)

1N3274

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

160A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N3265R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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