EGP31D-E3/D
참조 용
부품 번호 | EGP31D-E3/D |
PNEDA 부품 번호 | EGP31D-E3-D |
설명 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 3,562 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EGP31D-E3/D 리소스
브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | EGP31D-E3/D |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
데이터 시트 |
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EGP31D-E3/D 사양
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
시리즈 | SUPERECTIFIER® |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
전류-평균 정류 (Io) | 3A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 950mV @ 3A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 50ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 200V |
커패시턴스 @ Vr, F | 117pF @ 4V, 1MHz |
장착 유형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 120V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 120V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지 TO-262AA 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
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ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 75V 전류-평균 정류 (Io) 300mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 850mV @ 10mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 175°C (Max) |
GeneSiC Semiconductor 제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 650mV @ 200A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |