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EL7156CSZ

EL7156CSZ

참조 용

부품 번호 EL7156CSZ
PNEDA 부품 번호 EL7156CSZ
설명 IC DRIVER PIN 40MHZ 3STATE 8SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 31,482
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EL7156CSZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL7156CSZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
EL7156CSZ, EL7156CSZ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 643.62 KB)
PDFEL7156CS-T7 데이터 시트 표지
EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 2 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 3 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 4 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 5 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 6 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 7 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 8 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 9 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 10 EL7156CS-T7 데이터 시트 페이지 11

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EL7156CSZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급4.5V ~ 16.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3.5A, 3.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14.5ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns (Max)

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IR2133S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

ISL2111BR4Z-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.4V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 7.5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (4x4)

2EDN7523FXTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EiceDriver™

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5.3ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

IR2108S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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