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EM6K34T2CR

EM6K34T2CR

참조 용

부품 번호 EM6K34T2CR
PNEDA 부품 번호 EM6K34T2CR
설명 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 806,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EM6K34T2CR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EM6K34T2CR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EM6K34T2CR, EM6K34T2CR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 1,040.99 KB)
PDFEM6K34T2CR 데이터 시트 표지
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  • EM6K34T2CR Distributor

EM6K34T2CR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 0.9V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds26pF @ 10V
전력-최대120mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지EMT6

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 4.38mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5180pF @ 10V

전력-최대

1.7W, 2.5W

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

HSO8-F3-B

AOD607_DELTA

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V

전력-최대

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

DMG9926UDM-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

856pF @ 10V

전력-최대

980mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

FDW2512NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 10V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NVMFD5877NLT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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