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EMD53T2R

EMD53T2R

참조 용

부품 번호 EMD53T2R
PNEDA 부품 번호 EMD53T2R
설명 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMD53T2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMD53T2R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
EMD53T2R, EMD53T2R 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,395.88 KB)
PDFEMD53T2R 데이터 시트 표지
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  • EMD53T2R Distributor

EMD53T2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지EMT6

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-553

공급자 장치 패키지

ESV

RN1906,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

RN2962FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

XN0438100L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms, 4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA, 1µA

주파수-전환

150MHz, 200MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

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