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EMF21-7

EMF21-7

참조 용

부품 번호 EMF21-7
PNEDA 부품 번호 EMF21-7
설명 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,186
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMF21-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMF21-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
EMF21-7, EMF21-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 197.67 KB)
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EMF21-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V, 12V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz, 280MHz
전력-최대300mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Panasonic Electronic Components

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트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SMINI6-G1

ADC114EUQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

270mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

ACX114EUQ-7R

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

270mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BCR08PNH6327XTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

170MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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BCR10PNH6727XTSA1

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

130MHz

전력-최대

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