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EMF21T2R

EMF21T2R

참조 용

부품 번호 EMF21T2R
PNEDA 부품 번호 EMF21T2R
설명 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMF21T2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMF21T2R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
EMF21T2R, EMF21T2R 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 55.71 KB)
PDFEMF21T2R 데이터 시트 표지
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  • EMF21T2R Distributor

EMF21T2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V, 12V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz, 260MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지EMT6

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

230MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA, 100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms, 2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

100MHz, 200MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

RN49A2,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

주파수-전환

250MHz, 200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

EMD30T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 30V

저항-베이스 (R1)

10kOhms, 1kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz, 260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

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ON Semiconductor

제조업체

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

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22kOhms

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22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

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