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EMH1405-TL-H

EMH1405-TL-H

참조 용

부품 번호 EMH1405-TL-H
PNEDA 부품 번호 EMH1405-TL-H
설명 MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
제조업체 ON Semiconductor
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EMH1405-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMH1405-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
EMH1405-TL-H, EMH1405-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 551.46 KB)
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EMH1405-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds820pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-EMH
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 140µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

P-DSO-8

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RV3C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

VML0604

패키지 / 케이스

3-XFDFN

JAN2N6849U

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/564

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

18-ULCC (9.14x7.49)

패키지 / 케이스

18-CLCC

IRFR9010TR

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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