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EMH2314-TL-H

EMH2314-TL-H

참조 용

부품 번호 EMH2314-TL-H
PNEDA 부품 번호 EMH2314-TL-H
설명 MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $3.1588
250 ---------- $3.0107
500 ---------- $2.8626
1,000 ---------- $2.7146
2,500 ---------- $2.5912
5,000 ---------- $2.4678
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EMH2314-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMH2314-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EMH2314-TL-H, EMH2314-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 1,078.55 KB)
PDFEMH2314-TL-H 데이터 시트 표지
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EMH2314-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs37mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 6V
전력-최대1.2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-EMH

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A, 80A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6100pF @ 15V

전력-최대

29W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-HSOP

SI5513CDC-T1-E3

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

AON6912A

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 13.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

1.9W, 2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

ECH8659-M-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

NTLUD4C26NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

2.63W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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