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EMT1DXV6T1G

EMT1DXV6T1G

참조 용

부품 번호 EMT1DXV6T1G
PNEDA 부품 번호 EMT1DXV6T1G
설명 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,406
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMT1DXV6T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMT1DXV6T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
EMT1DXV6T1G, EMT1DXV6T1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 54.48 KB)
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EMT1DXV6T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대500mW
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-CDIP

ZDT1048TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17.5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 2V

전력-최대

2.75W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

2N6989UTX

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 NPN (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-CLCC

공급자 장치 패키지

20-CLCC

ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 125mA, 4.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

전력-최대

1.7W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

W-DFN3020-8

UMB4NFHATN

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

2 PNP Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

전력-최대

150mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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