EPC2029
참조 용
| 부품 번호 | EPC2029 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2029 |
| 설명 | GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 33,138 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2029 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2029 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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EPC2029 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 48A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 12mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1410pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2480pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 66nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 860pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 465pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 84nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2565pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 160W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta), 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1510pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (3x3) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
