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EPC2103ENG

EPC2103ENG

참조 용

부품 번호 EPC2103ENG
PNEDA 부품 번호 EPC2103ENG
설명 GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
제조업체 EPC
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EPC2103ENG 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2103ENG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2103ENG, EPC2103ENG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,715.9 KB)
PDFEPC2103ENG 데이터 시트 표지
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EPC2103ENG 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds760pF @ 40V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

608.4pF @ 6V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRF7754GTRPBF

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1984pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1869pF @ 15V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404.5pF @ 15V

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