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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

참조 용

부품 번호 EPC2105ENGRT
PNEDA 부품 번호 EPC2105ENGRT
설명 GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
제조업체 EPC
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EPC2105ENGRT 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2105ENGRT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2105ENGRT, EPC2105ENGRT 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,210.08 KB)
PDFEPC2105ENG 데이터 시트 표지
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EPC2105ENGRT 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds300pF @ 40V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4200pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2390pF @ 20V

전력-최대

3.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ALD212914PAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

APTMC120TAM34CT3AG

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

74A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

161nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2788pF @ 1000V

전력-최대

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