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EPC2111

EPC2111

참조 용

부품 번호 EPC2111
PNEDA 부품 번호 EPC2111
설명 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
제조업체 EPC
단가
1 ---------- $1,592.0447
50 ---------- $1,517.4176
100 ---------- $1,442.7905
200 ---------- $1,368.1634
400 ---------- $1,305.9741
500 ---------- $1,243.7849
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EPC2111 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2111
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2111, EPC2111 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,022.89 KB)
PDFEPC2111ENGRT 데이터 시트 표지
EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 2 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 3 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 4 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 5 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 6 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 7 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 8 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 9

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EPC2111 사양

제조업체EPC
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A, 2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

387pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

ZDM4306NTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SOT-223

PHC2300,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA, 235mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

102pF @ 50V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8M3TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDMC7200

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

700mW, 900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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