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EPC2111

EPC2111

참조 용

부품 번호 EPC2111
PNEDA 부품 번호 EPC2111
설명 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
제조업체 EPC
단가
1 ---------- $1,592.0447
50 ---------- $1,517.4176
100 ---------- $1,442.7905
200 ---------- $1,368.1634
400 ---------- $1,305.9741
500 ---------- $1,243.7849
재고 있음 3,137
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EPC2111 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2111
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2111, EPC2111 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,022.89 KB)
PDFEPC2111ENGRT 데이터 시트 표지
EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 2 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 3 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 4 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 5 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 6 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 7 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 8 EPC2111ENGRT 데이터 시트 페이지 9

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EPC2111 사양

제조업체EPC
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SOT-223

FD6M045N06

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Power-SPM™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3890pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

EPM15

공급자 장치 패키지

EPM15

NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA, 880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33pF @ 5V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMN5010VAK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

ECH8663R-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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