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EPC2212

EPC2212

참조 용

부품 번호 EPC2212
PNEDA 부품 번호 EPC2212
설명 AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
제조업체 EPC
단가 견적 요청
재고 있음 26,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EPC2212 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2212
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
EPC2212, EPC2212 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 975.57 KB)
PDFEPC2212 데이터 시트 표지
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EPC2212 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형N-Channel
기술GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 5V
Vgs (최대)+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds407pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Die
패키지 / 케이스Die

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ON Semiconductor

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 23µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-5

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRF9620STRL

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHFR9310TR-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

HEXFET®

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4010pF @ 15V

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-

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140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

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