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ES1DHR3G

ES1DHR3G

참조 용

부품 번호 ES1DHR3G
PNEDA 부품 번호 ES1DHR3G
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,046
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ES1DHR3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ES1DHR3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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ES1DHR3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If950mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F16pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 30A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-247-2 (Straight Leads)

공급자 장치 패키지

DO-247

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

C2D10120A

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Zero Recovery™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

31A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

1000pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

STTH15AC06FP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FPAC

작동 온도-접합

175°C (Max)

90SQ040

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 18A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JAN1N3766R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/297

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 110A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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